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Si4904DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
1.2
16
V GS = 10 thr u 3 V
1.0
0. 8
12
0.6
8
0.4
T C = 125 °C
25 °C
4
0
2 V
0.2
0.0
- 55 °C
0.0
0.6
1.2
1. 8
2.4
3.0
0.0
0.6
1.2
1. 8
2.4
3.0
0.020
0.01 8
V DS – Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
3500
2 8 00
V GS – Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.016
0.014
0.012
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
2100
1400
700
C oss
0.010
0
C rss
0
4
8
12
16
20
0
8
16
24
32
40
I D – Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1. 8
V DS – Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 5 A
V DS = 10 V
1.5
I D = 5 A
V GS = 10 V
6
V DS = 20 V
1.2
V GS = 4.5 V
4
2
0
V DS = 30 V
0.9
0.6
0
12
24
36
4 8
60
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g – Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 73793
S09-0540-Rev. C, 06-Apr-09
T J – J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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